Nghiên cứu DFT về tính chất cấu trúc, điện và từ của silicon-carbide khi hấp phụ NH₃

Tác giả: Nguyễn Thị Tường Vy
Định dạng tài liệu: Đề tài - Dự án

Nghiên cứu tập trung khảo sát hành vi hấp phụ của các phân tử amoniac (NH₃) trên nền nanoribbon silicon carbide dạng armchair (ASiCNRs) bằng phương pháp tính toán lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT).

Phí Download:
Miễn phí

Các đặc trưng về cấu trúc, độ bền và tính chất điện – từ của vật liệu trước và sau khi hấp phụ NH₃ được phân tích chi tiết. Kết quả cho thấy quá trình hấp phụ NH₃ gây ra những thay đổi đáng kể trong cấu trúc vùng năng lượng và phân bố mật độ điện tích của ASiCNRs, phản ánh sự tương tác mạnh giữa phân tử NH₃ và bề mặt nanoribbon. Năng lượng hấp phụ tính toán chỉ ra rằng NH₃ có thể được hấp phụ ổn định tại các vị trí đặc trưng, kéo theo sự biến đổi rõ rệt về độ dẫn điện và tính chất từ của vật liệu. Đáng chú ý, độ rộng vùng cấm tăng từ 2,1 eV ở trạng thái ban đầu lên 3,35 eV sau khi hấp phụ. Các kết quả này cho thấy tiềm năng ứng dụng của ASiCNRs như một vật liệu nhạy cho cảm biến khí NH₃ kích thước nano, phục vụ giám sát môi trường và công nghệ cảm biến.

Thêm một bài đánh giá

Vui lòng đăng nhập để viết đánh giá!

Tải ảnh lên
Bạn có thể tải lên tối đa 6 ảnh, kích thước tối đa của mỗi ảnh là 2048 kilobyte

Xếp hạng

(0.00 trên 5)
5 sao
0%
4 sao
0%
3 sao
0%
2 sao
0%
1 sao
0%

Không có bài đánh giá nào!