Các cấu trúc nano InAs phát triển thẳng đứng với đường kính từ vài chục nanomet đến vài trăm nanomet và chiều dài từ vài trăm nanomet đến vài micromet ở nhiệt độ 480°C. Phân tích EDS cho thấy vật liệu chủ yếu gồm In và As với lượng Au rất nhỏ, chứng tỏ độ tinh khiết cao; cấu trúc tinh thể pha lập phương zinc-blende được xác nhận bằng XRD. Phổ huỳnh quang tại nhiệt độ phòng thể hiện đỉnh phát xạ tốt ở 2696 nm, phản ánh tính đồng đều về kích thước. Kết quả cho thấy phương pháp VLS có tiềm năng ứng dụng trong chế tạo linh kiện nano quang điện tử hiệu năng cao.


Thêm một bài đánh giá
Xếp hạng
Không có bài đánh giá nào!