Chế tạo thanh/dây nano bán dẫn InAs trên đế Si (111) bằng phương pháp hơi lỏng rắn (VLS)

Tác giả: Nguyễn Thị Tường Vy
Định dạng tài liệu: Đề tài - Dự án

Nghiên cứu này trình bày việc chế tạo thành công các thanh/dây nano InAs trên đế Si (111) bằng phương pháp hơi–lỏng–rắn (VLS) sử dụng xúc tác hạt nano Au.

Phí Download:
Miễn phí

Các cấu trúc nano InAs phát triển thẳng đứng với đường kính từ vài chục nanomet đến vài trăm nanomet và chiều dài từ vài trăm nanomet đến vài micromet ở nhiệt độ 480°C. Phân tích EDS cho thấy vật liệu chủ yếu gồm In và As với lượng Au rất nhỏ, chứng tỏ độ tinh khiết cao; cấu trúc tinh thể pha lập phương zinc-blende được xác nhận bằng XRD. Phổ huỳnh quang tại nhiệt độ phòng thể hiện đỉnh phát xạ tốt ở 2696 nm, phản ánh tính đồng đều về kích thước. Kết quả cho thấy phương pháp VLS có tiềm năng ứng dụng trong chế tạo linh kiện nano quang điện tử hiệu năng cao.

Thêm một bài đánh giá

Vui lòng đăng nhập để viết đánh giá!

Tải ảnh lên
Bạn có thể tải lên tối đa 6 ảnh, kích thước tối đa của mỗi ảnh là 2048 kilobyte

Xếp hạng

(0.00 trên 5)
5 sao
0%
4 sao
0%
3 sao
0%
2 sao
0%
1 sao
0%

Không có bài đánh giá nào!