Mục tiêu của công trình là làm rõ các đặc trưng điện tử của vật liệu trong hai trạng thái cấu trúc khác nhau là cấu trúc phẳng và cấu trúc nhấp nhô, từ đó đánh giá tiềm năng ứng dụng trong các lĩnh vực công nghệ tiên tiến như spintronics.

Trong quá trình nghiên cứu, các tham số cấu trúc liên quan đến tương tác lân cận gần giữa các nguyên tử được xác định và hiệu chỉnh thông qua việc so sánh với các kết quả tính toán ab initio từ các mô hình tương tự. Việc kết hợp hai phương pháp này giúp tăng độ tin cậy của mô hình và đảm bảo các đặc trưng điện tử thu được phản ánh sát với bản chất vật lý của vật liệu. Kết quả cho thấy trong cả hai trạng thái cấu trúc (phẳng và nhấp nhô), vật liệu h-CrN thể hiện tính kim loại, đặc trưng bởi sự tồn tại của các trạng thái điện tử tại mức năng lượng Fermi.

Tuy nhiên, sự khác biệt đáng kể giữa hai cấu trúc nằm ở sự phân bố mật độ trạng thái điện tử và mức độ biến đổi của cấu trúc vùng năng lượng. Cấu trúc nhấp nhô cho thấy sự thay đổi rõ rệt hơn trong cấu trúc điện tử so với cấu trúc phẳng, điều này gợi ý rằng các yếu tố hình học có thể ảnh hưởng mạnh đến tính chất dẫn điện và các đặc trưng điện tử khác của vật liệu. Sự biến đổi này mở ra khả năng điều khiển tính chất điện tử thông qua tác động của các kích thích bên ngoài như biến dạng cơ học hoặc điện trường.

Nhìn chung, kết quả của công trình cung cấp cơ sở lý thuyết quan trọng cho việc hiểu rõ hơn về hành vi điện tử của vật liệu hai chiều dạng lục giác. Đồng thời, nghiên cứu cũng chỉ ra rằng h-CrN là một vật liệu tiềm năng cho các ứng dụng trong lĩnh vực điện tử và spintronics, nơi yêu cầu khả năng điều chỉnh linh hoạt các tính chất điện tử. Việc tiếp tục nghiên cứu sâu hơn về ảnh hưởng của các yếu tố môi trường và cấu trúc sẽ góp phần thúc đẩy ứng dụng thực tiễn của loại vật liệu này trong tương lai.